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在NatureCommun.、取代清洗Adv.Mater.、取代清洗NanoLett.、ACSNano等在内的国际重要刊物发表论文220余篇，其中IF10的论文70余篇，论文SCI引用9700余次，H因子=55，其中21篇论文引用超过100次，15篇论文入选ESI高被引论文。因此，金被智由电子注入以及注入后被捕获引起的偏压不稳定和双斜率的非理想行为可以得到有效抑制。d，融领人正人工e）在电极接触区域中用10nm-C10-BTBT修饰的dif-TESADT基OFET的d）接近理想的转移曲线和e）相应的与栅极无依赖性的gm。

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金被智f）器件的典型双斜率非理想行为。

融领人正人工b,c）dif-TESADT器件在修饰10nm-C8-BTBT后的稳定转移特性曲线和无栅压依赖性的gm。材料测试，域批演残数据分析，上测试谷。

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